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[发明专利]一种铁电异质结及其制备方法和电控微波电子元器件-CN201711079721.6有效
发明人：代波;李俊;任勇 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2017-11-06 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L41/083 文献下载
摘要：本发明提供了一种铁电异质结及其制备方法和电控微波电子元器件。所述铁电异质结包括顺序接触的电极层、压电基底层、缓冲层、交换偏置多层膜和保护层，其中，所述交换偏置多层膜为[铁磁层/反铁磁层]N，N为周期数，且N≥2，所述铁磁层为磁致伸缩系数较小的铁磁性材料本发明能够提供一种新型的含有铁磁/反铁磁交换偏置多层膜的铁电异质结；还能够对磁致伸缩系数较小的磁性薄膜高频性能进行大范围调节，进而获得良好的高频磁性的铁电异质结。本发明的铁电异质结具有广泛的用途，例如，可可用于新一代的电控微波电子元器件。
一种铁电异质结及其制备方法微波电子元器件

[发明专利]一种基于低维反铁磁/铁磁绝缘体异质结的交换偏置可调的器件-CN202211464003.1在审
发明人：张帅;应哲;陈宁;宋凤麒 -专利权人：江苏集创原子团簇科技研究院有限公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H10N52/85 文献下载
摘要：一种基于低维反铁磁/铁磁绝缘体异质结的交换偏置可调的器件，一种基于低维反铁磁/铁磁绝缘体异质结的交换偏置可调的器件，(1)由低维铁磁绝缘体覆盖反铁磁拓扑绝缘体构成异质结；异质结的构型有两种，即铁磁绝缘体完整覆盖反铁磁拓扑绝缘体和铁磁绝缘体半覆盖反铁磁拓扑绝缘体；(2)在异质结上方覆盖一层非磁性的绝缘保护层；(3)在异质结中，能观测到明显的交换偏置效应；(4)通过改变铁磁绝缘体覆盖的范围，能调控交换偏置的符号；(5)器件所用材料体系为范德瓦尔斯层状材料；通过改变铁磁绝缘体覆盖的范围，能调控交换偏置符号；在磁性材料居里温度和奈尔温度以下，利用低温和磁场进行磁输运测量能测量反常霍尔效应。
一种基于低维反铁磁绝缘体异质结交换偏置可调器件

[发明专利]一种调控二维铁磁/反铁磁异质结交换偏置的方法及装置-CN202111450173.X在审
发明人：叶镭;黄鑫宇;林润峰;彭追日;童磊;李政;徐浪浪;缪向水 -专利权人：华中科技大学;湖北江城实验室
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种调控二维铁磁/反铁磁异质结交换偏置的方法及装置，属于自旋电子学技术领域。异质结的下层为二维铁磁材料，下层为二维反铁磁材料，方法包括：在二维铁磁/反铁磁异质结样品正面设置单层石墨烯纳米粉；使激光器发出的激光聚焦于所述单层石墨烯纳米粉所在平面，控制样品移动，在移动的过程中所述激光对样品施加面外压力，通过改变激光功率大小调整异质结的层间距，实现对交换偏置效应的调控。本发明基于范德华反铁磁/铁磁系统层间距强烈影响着层间相互作用，利用激光冲击强化工艺来控制范德华异质结构层间距，对范德华磁性异质结中的交换偏置效应进行连续可调，提升该效应的可控性。
一种调控二维反铁磁异质结交偏置方法装置

[发明专利]基于铁电-铁磁异质结的电控磁型存储器及其制备方法-CN201710313107.5有效
发明人：高兴森;姚竣翔 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器及其制备方法。所述基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器包括从下往上依次设置的铁电层和铁磁层，所述铁电层为BiFeO
基于铁磁异质结电控磁型存储器及其制备方法

[发明专利]一种磁电异质结薄膜及其制备方法-CN202310813291.5在审
发明人：邱兆国;余相锋;郑志刚;曾德长 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10N50/85 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁电异质结薄膜及其制备方法，包括依次层叠的钛酸锶基底层、钌酸锶电极层、铁酸铋铁电材料层和SmCo基铁磁材料层。该磁电异质结薄膜同时具有多铁层室温磁电耦合效应和铁磁层优异的磁性能，通过界面处较强的交换偏置效应，可以增强异质结薄膜的磁电耦合效应。
一种磁电异质结薄膜及其制备方法

[发明专利]自旋电子器件、SOT-MRAM存储单元、存储阵列以及存算一体电路-CN202010704837.X在审
发明人：邢国忠;林淮;路程;刘琦;吕杭炳;李泠;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种自旋电子器件、SOT‑MRAM存储单元、存储阵列以及存算一体电路，所述自旋电子器件包括铁电/铁磁异质结构、磁隧道结以及设置在所述铁电/铁磁异质结构和所述磁隧道结之间的重金属层；所述铁电/铁磁异质结构包括层叠设置的多铁性材料层和铁磁层，所述磁隧道结包括层叠设置的自由层、绝缘层以及参考层，所述重金属层设置在所述铁磁层和所述自由层之间。
自旋电子器件 sot mram 存储单元阵列以及一体电路

[发明专利]一种构建二维范德华多铁性异质结器件的方法-CN202310630703.1在审
发明人：齐云飞;王汉文;韩拯;刘健鹏 -专利权人：中国科学院金属研究所;上海科技大学
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种构建二维范德华多铁性异质结器件的方法，以及采用该方法设计的二维范德华多铁性异质结器件。该方法以二维层状铁电材料作为铁电绝缘层，以二维层状铁磁材料作为沟道材料，以二维层状绝缘材料作为封装层，以二维层状金属材料作为栅极层和接触电极层，利用二维层状铁电材料的铁电性及二维层状铁磁材料的铁磁性，基于二维层状材料无悬挂键的特点，实现具有多铁性的二维范德华异质结器件的构建。该方法工艺简单，可以摆脱传统三维块体多铁异质结外延生长所需的晶格匹配、高温等严苛条件，能够获得性能优异、稳定可控、具有多铁性的二维范德华异质结器件。
一种构建二维范德华多铁性异质结器件方法

[发明专利]一种磁光空间光调制器及其调制方法-CN202310451957.7在审
发明人：高南;黄小林;江思源;向学强;吴彪;霍然;强馨予;何金阳 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G02F1/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁光空间光调制器及其调制方法，该光调制器包括：硅衬底，其上设置由多个铁电和铁磁异质结单元组成的阵列结构，其中铁电层具有压电效应，铁磁层具有磁致伸缩效应；每个铁电和铁磁异质结单元的铁电层下方均设底部电极，铁磁层上方均设顶部电极，同一个铁电和铁磁异质结单元的铁电层下方的底部电极与铁磁层上方的顶部电极组成垂直交叉电极；所述铁电层的铁电材料采用单晶(PbMg1/3NbSub>3)2/3‑(PbTiO3)1/3压电材料；所述铁磁层的铁磁材料采用具有面内磁各向异性的钴材料
一种空间调制器及其调制方法

[发明专利]一种制备高荧光效率谷胱甘肽封装铁基异质结的方法-CN201510010980.8有效
发明人：边亮;徐金宝;李海龙;侯文平;董海良;史发年;王磊;任卫;张晓艳 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2015-01-10 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： C12P3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备高荧光效率谷胱甘肽封装铁基异质结的方法。该方法分两步进行，第一步采用腐败希瓦氏菌MR‑1还原针铁矿得到纳米级铁素体，并引入七种二价过渡金属离子（镁、锰、钴、镍、锌镁、锌锰和锌镍）取代二价铁，得到赤铁矿‑铁素体的核‑壳型铁基异质结；第二步将异质结溶入谷胱甘肽和氯化钙混合溶液中，避光静置后冷冻干燥，得到谷胱甘肽封装铁基异质结。该方法获得了多种具有赤铁矿（内核）‑过渡金属修饰铁素体‑谷胱甘肽（双壳层）的异质结结构，可应用于磁共振成像、靶向给药和磁热疗等领域。
一种制备荧光效率谷胱甘肽封装铁基异质结方法

[发明专利]一种基于电场控制多铁异质结中磁畴壁运动的逻辑器件-CN202211602980.3在审
发明人：游龙;李欣;洪正敏;哈努曼·辛格 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于电场控制多铁异质结中磁畴壁运动的逻辑器件，属于多铁异质结以及相应器件领域。本发明提供的多铁异质结结构，通过在衬底电极层和其中一个铁磁电极之间施加外电场，在压电衬底层与第一/第二铁磁耦合区之间的耦合作用下，实现磁纳米线中磁畴壁的产生和移动，通过在两个铁磁电极上施加正电压或接地，基于两种异质结结构，本发明提出两种逻辑器件，仅用两个逻辑输入端，实现了多种逻辑功能，具有可重构的逻辑功能，能够实现逻辑功能的切换，提升了逻辑器件的集成度；且在大规模集成的过程中，由于没有涉及到电流驱动，
一种基于电场控制多铁异质结中磁畴壁运动逻辑器件

[发明专利]一种基于电场实现非易失磁存储的自旋电子器-CN202310594754.3在审
发明人：王冰;张云庚;金超 -专利权人：河南大学
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10N50/20 文献下载
摘要：一种基于电场实现非易失磁存储的自旋电子器，包括由二维单层In2Se3与二维单层FeCl2构成的双分子层范德华多铁异质结，通过电场方向实现双分子层二维FeCl2/In2Se3异质结中磁结构、磁各向异性和净磁化强度的三重调控，范德华多铁异质结只在自旋向下通道中导电，可以实现对载流子通道的稳定滤波。双分子层FeCl2/In2Se3范德华多铁异质结中，FeCl
一种基于电场实现非易失磁存储自旋电子

[发明专利]铁电半导体/铁磁单晶薄膜异质结及制备方法和应用-CN202210100485.6在审
发明人：任召辉;陈嘉璐;林宸;田鹤;韩高荣 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了铁电半导体/铁磁单晶薄膜异质结及制备方法和应用。该异质结是以生长有单晶镧锶锰氧的钛酸锶单晶基板作为基底，并在镧锶锰氧层外延生长钛酸铅单晶薄膜而形成的钛酸铅/镧锶锰氧单晶薄膜异质结。该异质结具有金属‑绝缘体转变。该异质结中，外延钛酸铅单晶薄膜的表面平整，外延钛酸铅单晶薄膜的内部晶格排列整齐，钛酸铅/镧锶锰氧异质结界面呈原子级平整。本发明异质结通过水热方法制备得到，其具有优异的光伏性能，且在光照条件下电阻受磁场影响显著，可用作无源光电探测器或光控磁电探测设备。本发明异质结在铁电半导体存储器、磁电存储和电光开关等领域也具有广泛的潜在应用前景。
半导体铁磁单晶薄膜异质结制备方法应用

[发明专利]一种具有交换偏置效应的铁磁/反铁磁异质结及其制备-CN201910415278.8在审
发明人：傅邱云;仲世豪;王超宏;周令 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： C01G49/00 文献下载
摘要：本发明属于磁性材料领域，更具体地，涉及一种具有交换偏置效应的铁磁/反铁磁异质结及其制备。该多铁异质结具有MFe₂O₄/BiFeO₃双层膜结构，其中MFe₂O₄作为铁磁层，BiFeO₃作为反铁磁层，M为Ni或Co。选择具有高居里温度的反尖晶石型铁氧体MFe₂O₄(M＝Co、Ni)作为铁磁材料，充分利用MFe₂O₄的居里温度和BiFeO本发明提供的多铁异质结，CoFe₂O₄/BiFeO3双层薄膜的矫顽场H_C＝15.84KOe，且在3K时还观察到了明显的交换偏置场(H
异质结反铁磁偏置铁磁制备磁性材料领域交换偏置场双层膜结构反尖晶石反铁磁层双层薄膜铁磁材料矫顽场铁磁层铁磁性铁氧体交换截止观察

[发明专利]基于自旋半金属电极的磁隧道结、存储单元及存储设备-CN202210662604.7在审
发明人：宋延兴;柴常春;李福星;秦英朔;孟祥瑞;宋博奇 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于自旋半金属电极的磁隧道结，包括二维铁磁绝缘材料层以及间隔覆盖在二维铁磁绝缘材料上的第一二维自旋半金属材料层和第二二维自旋半金属材料层，其中，第一二维自旋半金属材料层和第二二维自旋半金属材料分别与二维铁磁绝缘材料层通过范德瓦尔斯相互作用形成范德瓦尔斯异质结，第一二维自旋半金属材料层作为入射电极，第二二维自旋半金属材料层作为出射电极；异质结中能够发生层间电荷转移，使二维铁磁绝缘材料层与第一二维自旋半金属材料层或第二二维自旋半金属材料层接触的区域由绝缘态转变为自旋半金属态该磁隧道结电极的自旋半金属性完全由异质结中的层间电荷转移诱导，电极和势垒层之间不存晶格失配和缺陷。
基于自旋金属电极隧道存储单元设备

[发明专利]基于多铁异质结的电场控制自旋波逻辑器件及其控制方法-CN202010766278.5有效
发明人：朱明敏;崔淑婷;施胜宾;年迪青;邱阳;杨浛;郁国良;周浩淼 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N30/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多铁异质结的电场控制自旋波逻辑器件及其控制方法，包括多铁异质结，多铁异质结表面布设波导层，且有若干顶电极分布于波导层两侧，其中该逻辑器件分成若干功能区域：至少一个激发区，位于逻辑器件的一端，通过电极施加电压，多铁异质结产生的应变传递至波导层，影响波导层中的磁各向异性，进而使磁化方向产生偏转，最终激发自旋波；至少一个检测区，位于逻辑器件另一端，自旋波导致的波导层应变与多铁异质结耦合，产生微波电信号
基于多铁异质结电场控制自旋逻辑器件及其方法

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